experiment(실험)1예비보고서. 접합 다이오드의 특성
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작성일 22-10-14 08:43
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즉 비저항이 크다.
Ⅱ.배경지식 및 내용
반도체
반도체는 그 비저항값이 도체와 절연체 사이에 있는 고체를 말한다.
Si에 비소(As), 안티몬(Sb)와 같은 5족 원소를 도핑시키면 N형 반도체를 만들 수 있다아 Si와 5족 원소가 공유결합을 하는데, 5족 원소로부터 공유결합에 관여하지 않는 과잉전자가 1개 발생한다.
저항계로 접합 다이오드를 시험한다.
Si에 인(P), 갈륨(Ga)와 같은 3족 원소를 도핑시키면 P형 반도체를 만들 수 있다아 N형 반도체와 반대로 Si와 3족 원소 사이의 공유결합에서는 전자가 부족해 정공이 만들어진다. 외부의 E를 얻어 결합 밖으로 …(省略)
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실험과제/기타
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experiment(실험)1예비보고서. 접합 다이오드의 특성
다.
Ⅱ.배경지식 및 내용
반도체
반도체는 그 비저항값이 도체와 절연체 사이에 있는 고체를 말한다. 그 예로는 트랜지스터, 접합 다이오드, 지너 다이오드, 터널 다이오드, 집적회로, 금속 정류기 등을 들 수 있다아 이런 반도체 소자는 많은 제어 기능을 수행하며 증폭기 , 정류기, 검출기, 발진기, 스위칭 소자 등으로 이용 될 수 있다아
현재 대부분의 반도체 소자는 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다아 실리콘은 반도체 물질로 사용되기 전에 아주 고순도로 정제되어야 한다. N형 반도체에서 정공은 소수 캐리어가 되고, 다수 캐리어는 자유전자가 된다된다.
접합 다이오드의 전압-전류 特性(특성)을 test(실험) 적으로 측정(measurement)하고 이를 그래프로 도시한다. 실리콘의 전기 전도도도는 미량의 특정 ...
전자회로 설계 및 test(실험) Ⅰ 예비보고서
(test(실험) 1. 접합 다이오드의 特性(특성))
Ⅰ.test(실험) 목적
순방향 바이어스와 역방향 바이어스가 접합 다이오드의 전류에 미치는 effect을 측정(measurement)한다. 순수한 반도체는 매우 낮은 전기 전도도를 갖는다. 즉 비저항이 크다. 그 예로는 트랜지스터, 접합 다이오드, 지너 다이오드, 터널 다이오드, 집적회로, 금속 정류기 등을 들 수 있다아 이런 반도체 소자는 많은 제어 기능을 수행하며 증폭기 , 정류기, 검출기, 발진기, 스위칭 소자 등으로 이용 될 수 있다아
현재 대부분의 반도체 소자는 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다아 실리콘은 반도체 물질로 사용되기 전에 아주 고순도로 정제되어야 한다. 순수한 반도체는 매우 낮은 전기 전도도를 갖는다. 게다가 외부의 E를 얻은 전자들도 결합 밖으로 나오면서 자유전자의 수는 정공(hole)의 수보다 많아진다.
전자회로 설계 및 test(실험) Ⅰ 예비보고서
(test(실험) 1. 접합 다이오드의 特性(특성))
Ⅰ.test(실험) 목적
순방향 바이어스와 역방향 바이어스가 접합 다이오드의 전류에 미치는 effect을 측정(measurement)한다.
접합 다이오드의 전압-전류 特性(특성)을 test(실험) 적으로 측정(measurement)하고 이를 그래프로 도시한다.
저항계로 접합 다이오드를 시험한다. 실리콘의 전기 전도도도는 미량의 특정 ‘불순물(impurity)’을 첨가함으로써 증가될 수 있다아 불순물의 종류와 양을 정해 첨가하는 것을 도핑(doping)이라고 하며, 도핑은 반도체 원소의 원자 내 전자 결합 구조를 change(변화)시켜 전류에 기여하는 캐리어(carrier)를 제공함으로써 반도체의 전기 전도도를 증가시킨다.
