I-V measurement
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작성일 22-10-09 00:12
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I Introduction
II. Carrier Transport Phenomena in general materials
1. Carrier drift
2. Carrier diffusion
3. Total current density
III I-V characteristics
1. Metal-Insulator(or Semiconductor) contact
1.1 Energy levels in crystals
1.2 Neutral contact
1.3 Blocking contact(Schottky contact)
1.4 Ohmic contact(Mott Gurney contact)
1.5 Metal-Insulator-Metal(MIM) contact
2. Image-force effect
2.1 Image force effect in case of a single interface
2.2 Image force effect in case of a MIM structure
3. Conduction mechanism
3.1 Electrode-limited currents
(1) Thermionic (or Schottky) current
(2) Tunnel current
3.2 Bulk-limited currents
(1) Charge density in the insulator
(2) General bulk current in the insulator
(3) Poole-Frenkel conduction
(4) Hopping conduction
(5) Space charge-limited conduction
V. I-V measurement with HP4145B
1. 측정(測定) 목적
2. I-V 측정(測定) 장비의 구성
2.1 Probe station의 사용법
2.2 측정(測定) 장비(HP 4145B )
2.3 Interface computer
V. Reference
I Introduction
전자재료, 특히 반도체 재료에서 전기적 속성 (electrical properties)을 조사하는 것은 상당히 중요하다.
I-V measurement
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본 자료는 I-V measurement 실험 보고서입니다.i-vmeasurement , I-V measurement공학기술레포트 ,
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본 reference(자료)는 I-V measurement 실험 보고서입니다. 이외에 온도차에 의한 flow도 있을 수 있으나 size가 작아질수록 그 效果는 적어진다.
II. Carrier Transport Phenomena in general materials
재료에서 전자와 전공(hole)과 같은 charged particle의 net flow에 의해 전류가 흐른다. 이런 흐름(flow)을 ‘transport’라 하는데 두 가지 기본적인 transport mechanism으로는 diffusion과 drift가 있다아 전자는 charged particle의 농도차에 의한 transport이고 후자는 전기장에 의한 charged particle의 흐름을 나타낸다. 그리고 마지막으로 실제 측정(測定) 에서 사용되는 장비에 대해 간략히 intro 하도록 하겠다.
.
1. Carrier drift
만약 재료에 전기장을 가하면 전자와 hole은 이 전…(투비컨티뉴드 )
다.
이런 I-V 측정(測定) 을 이해 하기위해 먼저 일반적인 반도체 재료에서의 carrier transport phenomena에 대하여 간략히 알아본 다음 도체-부도체 사이의 contact으로부터 전류가 흐르는 메커니즘의 이해를 통해 voltage를 흘려줄 때 어떤 reaction response을 통해 전류가 유전체 박막을 통해 흐르게 되는지 알아보겠다. 이런 carrier transport phenomena는 다음에 설명(說明)될 재료의 I-V 속성 을 이해하는데 기본이 된다된다. 이런 electrical property를 측정(測定) 하는 방법 중에 I-V 측정(測定) 이 있는데, 이는 우리가 원하는 재료에 특정 전압을 흘려 주었을 때 이에 reaction response하여 나타나는 전류를 측정(測定) 함으로써 그 재료의 비저항이라든가 누설전류(leakage current) 속성 , 그리고 파괴 전압 (breakdown voltage) 등을 측정(測定) 할 수 있다아 이런 측정(測定) 값을 토대로 우리가 증착한 유전체 박막의 속성 을 평가할 수 있게 된다된다.
